Устройства интегральной электроники: Акустоэлектроника. Основы теории, расчета и проектирования. Дмитриев В.Ф. - 102 стр.

UptoLike

Составители: 

102
{
}
++++
++
⎡⎤
κ= κ ζκ+ηξκ +
⎣⎦
ηξκ κ
22 11 1 1
11 1
(, ) (, ) ( ) ( )
(, ) ( )exp( );
EEEbE
Eb E E
Bz Bz
Az j p
(5.3)
{
}
−+
+−
⎡⎤
κ= κ κ+ηξκ +
⎣⎦
ηξκ +κ
11 11 1 1
11 1
(,) (,) () ()
(, ) ( )exp( ),
EEEbE
Eb E E
Bz Bz r
Az j p
(5.4)
где κ
E
– эффективное волновое число ПАВ в структуре МПО; p – пери'
од структуры; коэффициенты
+
ζκ
1
()
E
и
ζκ
1
()
E
определяют уменьше'
ние амплитуды волны при ее прохождении под электродом за счет
частичного преобразования и отражения ПАВ; коэффициенты
±
ξκ
1
()
E
определяют эффективность прямого (или обратного) преобразования
ПАВ; η=
0
/,
aa
WWη=
0
/,
bb
WW W
0
– полная апертура электродов
МПО. Центр отражения и преобразования ПАВ принят находящим'
ся в центре электрода z
ck
.
Зная комплексные амплитуды
+
κ
22
(, ),
E
Az
+
κ
22
(, )
E
Bz
, аналогично
можно вычислить комплексные амплитуды волн в области второго и
последующих электродов МПО.
Запишем комплексные амплитуды волн в области k–го электрода
МПО:
{
++++
++
⎡⎤
κ= κ ζκ+ηξκ +
⎣⎦
11
( ,) (,) () ()
kk E kkEkE akE
Az Az
}
++
ηξκ κ(, ) ( )exp( );
kkEak E E
Bz j p
(5.5)
Рис. 5.2. Падающие и прошедшие волны в области kAй полоски МПО
W
0
Z
k
Z
ck
k+1
Z
A
A
B
B
k
+
1
k
+
1
k
k
p
Z
W
a
W
b
B
k
a
+
+