Устройства интегральной электроники: Акустоэлектроника. Основы теории, расчета и проектирования. Дмитриев В.Ф. - 52 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СПб ГУАП | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

52
3.4. Проектирование устройств на ПАВ
Полученные в подразд. 3.3 соотношения позволяют проектиро'
вать ряд устройств на ПАВ типа линий задержки, трансверсальных
фильтров и дисперсионных линий задержки в случае, когда можно
пренебречь отраженными волнами.
Зная входную проводимость преобразователя, достаточно просто
рассчитать потери на преобразование встречно'штыревым преобра'
зователем:
⎡⎤
ω
⎢⎥
ω=
⎢⎥
ω+ +
⎣⎦
г
ВШП 10
2
вх г с
2()
( ) 10log , дБ,
()
A
YG
A
YYY
(3.19)
где Y
г
– проводимость генератора (или нагрузки для приемного пре'
образователя); Y
с
= 1/(jωL
с
) – проводимость согласующей индуктив'
ности.
В знаменатель (3.17), вообще говоря, необходимо добавить про'
водимость электродов, не связанную с возбуждением ПАВ. Это так
называемые резистивные потери в электродах. Они заметны лишь на
высоких частотах, и обычно ими также можно пренебречь.
Фазочастотная характеристика устройства, обусловленная вход'
ным или выходным преобразователями, может быть рассчитана по
соотношению
⎡⎤
ω
ϕω=−
⎢⎥
ω
⎣⎦
ВШП
()
( ) arctg .
()
A
A
B
G
(3.20)
Суммарная ФЧХ устройства равна сумме ФЧХ входного, выход'
ного ВШП и набега фазы на длине распространения ПАВ между пре'
образователями
ϕ=κL
.
Амплитудно'частотная характеристика А(ω) устройства на ПАВ
типа трансверсального фильтра или линии задержки определяется
потерями на преобразование на входном – А
ВШП'1
(ω) и выходном –
А
ВШП'2
(ω) преобразователях, а также потерями при распростране'
нии ПАВ между преобразователями, и может быть рассчитана по со'
отношению
ω= ω+ ω+ ω
ВШП'1 ВШП'2
() () () (), дБ,AA A T (3.21)
где
{
}
ω= −αω
10
() 10log exp[ ()]Tl
– потери на распространение ПАВ
между преобразователями; A(ω) – постоянная затухания ПАВ на ча'
стоте ω; l – расстояние между преобразователями. Потери в преобра'
зователях могут быть рассчитаны по соотношению (3.19).
Потери при распространении ПАВ в кристалле в основном обус'
ловлены тепловыми колебаниями кристаллической решетки. Напри'

Страницы