Составители:
Рубрика:
56
ных габаритах устройства. Для линии задержки расстояние L обес'
печивает необходимую задержку сигнала.
Расчет согласующих элементов обычно проводится из условия
компенсации статической емкости входного и выходного преобразо'
вателей (см. эквивалентную схему рис. 3.3):
1/[ωL
с
] =ω С
ВШП
, (3.31)
где L
c
– согласующая индуктивность; схема включения L
c
показана
на рис. 3.3.
В тех случаях, когда активная составляющая входной проводи'
мости существенно отличается от проводимости генератора и необ'
ходимо обеспечить низкий уровень отражений от электрической на'
грузки, используют трансформаторы импеданса.
Толщина электродов (h
М
) ВШП в устройствах типа линии задер'
жки или трансверсального фильтра выбирается исходя из того, что'
бы обеспечить низкий уровень отражений ПАВ от электродов, при
приемлемом уровне сопротивления потерь электродов. При не очень
большом числе электродов в ВШП и малом коэффициенте связи это
обеспечивается толщиной
λ/~0,01
M
h
. Типичное значение толщи'
ны электродов составляет 0,1…0,3 мкм.
Помимо отражений, связанных с механической нагрузкой элект'
рода на поверхность звукопровода, имеют место отражения, связан'
ные с «электрической нагрузкой» поверхности. Cтруктура поля, а
главное, – скорость акустической волны зависят от электрических
граничных условий на поверхности. Эти отражения пропорциональ'
ны разности скоростей на свободной и металлизированной поверхно'
сти при
→ 0
M
h
или коэффициенту электромеханической связи
∆
κ=
2
ЭМ
2 V
V
. В тех случаях, когда выбором толщины электродов про'
блему отражений решить не удается, используются расщепленные
электроды (подразд. 3.6), отражения от которых взаимно компенси'
руют друг друга.
3.5. Отражательные структуры для устройств на ПАВ
Помимо встречно'штыревых преобразователей различного кон'
структивного исполнения к основным конструктивным элементам,
из которых состоят устройства на ПАВ, относятся отражательные
структуры и многополосковые ответвители. На базе этих трех эле'
ментов построено большинство современных АЭУ. Многополоско'
вые ответвители и устройства на их основе будут рассмотрены в сле'
дующей главе. Рассмотрим отражательные структуры.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 54
- 55
- 56
- 57
- 58
- …
- следующая ›
- последняя »
