Устройства интегральной электроники: Акустоэлектроника. Основы теории, расчета и проектирования. Дмитриев В.Ф. - 72 стр.

UptoLike

Составители: 

72
=+ +
()(2)(2)(1)(2)(1)(0)
(2,3) (2,3) (2,1)[ (2,3) (1,3) (2,2)/ ;
s
PPPPPPP
=+ +
( ) (1) (1) (2) (2) (1) (0)
(3,1) (3,1) (2,1)[ (3,1) (1,1) (3,2)/ ;
s
PPPPPPP
=+ +
()(2)(2)(1)(1)2)(0)
(3,2) (3,2) (1,2)[ (3,2) (2,2) (3,1)/ ;
s
PPPPPPP
=++ + +
( ) (1) (2) (1) (2) (2) (1)
(3,3) (3,3) (3,3) { (3,2)[ (1,3) (1,1) (2,3)]
s
PPP PPPP
++
(2) (1) (1) (2) (0)
(3,1)[ (2,3) (2,2) (1,3)]}/ ;PP PP P
где
=−
(0) (2) (1)
1(1,1)(2,2)PPP
. Верхние индексы s, 1 и 2 относятся,
соответственно, к суммарной Р'матрице, Р'матрице ПАВ'структу'
ры, находящейся слева, и Р'матрице ПАВ'структуры, находящейся
справа. ПАВ'структурой может быть как отдельный электрод, так и
группа электродов, для которой вычислена суммарная Р'матрица.
Следует отметить, что входную проводимость ВШП определяет
элемент P
(s)
(3,3) суммарной Р'матрицы.
Приведенные соотношения позволяют рассчитывать входную про'
водимость ВШП в составе фильтра или резонатора с произвольно
меняющимся периодом, апертурой электродов вдоль структуры ВШП,
а также произвольным направлением токов в электродах. Они будут
использованы далее для расчета частотных характеристик резонанс'
ных фильтров (гл. 4) и устройств на основе многополосковых ответ'
вителей (гл. 5).