Устройства интегральной электроники: Акустоэлектроника. Основы теории, расчета и проектирования. Дмитриев В.Ф. - 71 стр.

UptoLike

Составители: 

71
+
=+η ζ κ
2
2
() 1/2 1/2
1
(1,2) (1 ) (1 ) exp[ ]
k
KK K EK
Pr jp;
=+ξ κ η κ
()
2
(1,3) ( ) exp[ /2]
k
KE K EK
Pjp
+
ϕκ
1
()
KE
;
+
ζ κ
2
2
() 1/2 1/2
1
(2,1) (1 ) (1 ) exp[ ]
k
KK K EK
Pr jp;
+
=+ η ζ κ
2
() 1/2
1
(2,2) (1 ) exp[ ]
k
KK K EK
Pr jp;
() *
20
22
1/2 1/2
10 0
(3,1) exp[ ] {[ ( )]
2
(1 )[ ()(1 ) ()]exp[ ]};
k
K
KE KE
KK KKE K KE EK
p
Pj
rr jp
−+
κ × ξ κ +
ζ ξ κ + ξ κ κ
() *
20
22
1/2 1/2
100
(3,2) exp[ ] {[ ( )]
2
(1 ) [ ( ) (1 ) ( )] exp[ ]};
k
K
KE K
KK KK K K EK
p
Pj
rr jp
+
+−
=+η κ × ξ κ +
ζ ξ κ + ξ κ κ
() 2 2
22 22 22
(3,3) /2 ( /2) /[1 ( /2) ]
k
KEK EK
PjWCRWC RWC=+ ω + ω + ω +
+−
κ +ξ κ η κ
222
002
{[ ()][ ()]} exp[ ]
KE KE K EK
jp
.
В случае если необходимо вычислить элементы P'матрицы ВШП в
целом (или ОС), которые будут связывать комплексные амплитуды
волн на входе и выходе ВШП (или ОС), а также содержать информа'
цию о входной проводимости ВШП, необходимо выполнить последо'
вательное перемножение
P
'матриц, описывающих каждый элект'
род.
Используя систему уравнений (3.43),(3.44),(3.50) с произволь'
ными коэффициентами, записанную для двух последовательно вклю'
ченных ПАВ'структур, и условие равенства амплитуд и фаз потенци'
алов на границе ПАВ'структур, нетрудно получить компоненты их
суммарной
P
'матрицы:
=+
( ) (1) (1) (2) (1) (0)
(1,1) (1,1) (1, 2) (1,1) (2,1) / ;
s
PPPPPP
=+
() (1) (2) (0)
(1,2) (1,2) (1,2) / ;
s
PPPP
=+ +
( ) (1) (1) (2) (2) (1) (0)
(1,3) (1,3) (1,2)[ (1,3) (1,1) (2,3) / ;
s
PPPPPPP
=
() (1) (2) (0)
(2,1) (2,1) (2,1)/ ;
s
PPPP
=+
( ) (2) (2) (1) (2) (0)
(2,2) (2,2) (2,1) (2,2) (1,2) / ;
s
PPPPPP