Устройства интегральной электроники: Акустоэлектроника. Основы теории, расчета и проектирования. Дмитриев В.Ф. - 69 стр.

UptoLike

Составители: 

69
+
±±
ϕκ= κ κ
ω
1
000
1
(, ) ( , ) ( , ) .
K
K
Z
UK E R E E
Z
zGzzJzdz
i
(3.45)
Пренебрегая реактивными полями источника и подставляя в
(3.45) функцию Грина (3.6, а),получим
±±
ϕκ=ξκ ±κ
1
CK 0
(, ) ( )exp[ ( )] ,
UK E K E E
zjzzU
(3.46)
+
±
ξκ= κ ±κ
ω
1
0
00CK0
0
() (,)exp[ ( )] .
K
K
Z
R
KE E E
Z
G
Jz jzzdz
iU
(3.47)
Тогда потенциалы
ϕκ
1
(, )
UK E
z
при z = z
K
и
+
ϕκ
1
(, )
UK E
z
при z = z
K+1
,
входящие в уравнения (3.43),(3.44):
±±
ϕκ=ξκ κ
1
0
() ()exp( /2).
UK E K E E K
jp U (3.48)
Уравнения (3.43),(3.44) позволяют рассчитать входную прово'
димость преобразователя с учетом отраженных от электродов волн.
Кроме того, они позволяют анализировать прохождение ПАВ через
отражательную структуру.
Получим теперь уравнение для тока в k'м электроде, дополняю'
щее уравнения (3.43),(3.44) и позволяющее формализовать проце'
дуру вычисления входной проводимости преобразователя.
Изменение тока в шине ВШП в области k'го электрода I
K
(ω) оп'
ределим как произведение общей парциальной проводимости k'го
электрода
±
κ
1
()
Вх E
Y
и напряжения на электроде. При этом будем по'
лагать, что в соответствии с принципом взаимности функциональ'
ные зависимости, определяющие прямое и обратное преобразование
ПАВ, комплексно сопряжены. Тогда уравнение для I
K
(ω) будет
иметь вид
+
∆ω= ω ω=ξκ η κ ω
*
102
() () () [ ( )] exp[ /2] ()
KKK KEK EKK
III jpR
+
+
−ξ κ η κ ω+
*
02 1
[()] exp[ /2] ()
KE K EK K
jp S
κ η κ ω +
02
() exp[ /2]()
KE K EK K
jp S
+
+
κ η κ ω +
02 1
() exp[ /2] ()
KE K EK K
jp R
{
}
+ ω + ω
22
22 22 22 0
/2 ( /2) /[1 ( /2) ] ,
KEK EK
jWC RW C RW C U
(3.49)
где звездочка есть знак комплексно сопряженной величины. В урав'
нении (3.49) помимо тока через статическую емкость электрода уч'
тен также ток через сопротивление электрода R
E
, не связанный с пре'
образованием ПАВ.