Конструкторско-технологическое обеспечение эксплуатационной надежности авиационного радиоэлектронного оборудования. Дмитриевский Е.С. - 65 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СПб ГУАП | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

65
тивное объединение элементов и компонентов, а также полное или час-
тичное объединение технологических процессов их изготовления.
При использовании в радиоэлектронной аппаратуре сами микросхе-
мы являются элементами, т. е. простейшими неделимыми единицами.
В этом смысле они составляют базу радиоэлектронной аппаратуры.
Критерием оценки сложности микросхемы, т. е. числа N содержа-
щихся в ней элементов и простых компонентов, является степень интег-
рации. Она определяется коэффициентом К = λgN, значение которого
округляется до ближайшего большего целого числа. Так, микросхема
первой степени интеграции (К = 1) содержит до 10 элементов и простых
компонентов, второй степени интеграции (К = 2) – свыше 10 до 100,
третьей степени интеграции (К = 3) – свыше 100 до 1000 и т. д. В насто-
ящее время микросхему, содержащую 500 и более элементов, изготов-
ленных по биполярной технологии, или 1000 и более элементов, изго-
товленных по МДП-технологии, называют большой интегральной мик-
росхемой (БИС). Если число элементов превышает 10000, то микросхе-
му называют сверхбольшой (СБИС).
По функциональному назначению микросхемы подразделяются на
цифровые и аналоговые. Цифровая микросхема предназначена для пре-
образования и обработки сигналов, изменяющихся по закону дискрет-
ной функции. В аналоговых микросхемах сигналы изменяются по зако-
ну непрерывной функции. Самый распространенный тип аналоговых
микросхем – это операционные усилители. Частным случаем аналого-
вых являются микросхемы диапазона СВЧ.
Конструктивно-технологическая классификация микросхем учиты-
вает способ изготовления и получаемую при этом структуру. По конст-
руктивно-технологическим признакам различают полупроводниковые
и гибридные микросхемы.
В полупроводниковой микросхеме все элементы и межэлементные
соединения выполнены в объеме и на поверхности полупроводника.
Структура содержащая элементы, межэлементные соединения и контак-
тные площадки (металлизированные участки, служащие для присоеди-
нения внешних выводов), называется кристаллом интегральной микро-
схемы. В большинстве полупроводниковых микросхем элементы распо-
лагаются в тонком (толщиной 0,5–10 мкм) приповерхностном слое по-
лупроводника. Поскольку удельное сопротивление полупроводника не-
велико (1–10 Ом·см), а элементы должны быть изолированными друг от
друга, необходимы специальные изолирующие области.

Страницы