Конструкторско-технологическое обеспечение эксплуатационной надежности авиационного радиоэлектронного оборудования. Дмитриевский Е.С. - 66 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

На рис. 14, а, б, показаны соответственно структура и электрическая

схема простейшей полупроводниковой микросхемы, состоящей из би-

полярного п-р-п транзистора и резистора. Структура содержит слаболе-

гированную подложку 1 р-типа, активный полупроводниковый слой n-

типа, в котором кроме транзистора и полупроводникового резистора (слой

р-типа) созданы изолирующие области 2 из диоксида кремния. На по-

верхности полупроводника сформирован диэлектрический слой диок-

сида кремния, на котором расположены металлические проводники.

Основным полупроводниковым материалом микросхем является

кремний. Важное конструктивно-технологическое преимущество крем-

ния связано со свойствами слоев диоксида кремния, получаемых на его

поверхности при окислении. Эти слои используют в качестве масок при

локальном легировании кремния примесями, для изоляции элементов в

качестве подзатворного диэлектрика МДП-транзистора, а также для за-

щиты поверхности кристалла от влияния окружающей среды и др. Дос-

SiO2

Транзистор

SiO

Вход

Выход

б)

SiO2 SiO2

n n

Б К

Резистор

Рис. 14