Составители:
68
ходил, в основном, за счет уменьшения их топологических размеров, т.
е. размеров в плоскости, параллельной поверхности кристалла (кривая
3), и в меньшей степени – за счет разработки новых конструкций эле-
ментов и совершенствования схемотехники (кривая 4), а также увеличе-
ния размеров кристалла (кривая 5).
Уровень технологии характеризуется минимальным топологическим
размером ∆,т. е. наименьшими достижимыми размерами легированной
области в полупроводниковом слое или пленочного слоя на поверхнос-
ти, например минимальными шириной эмиттера биполярного транзис-
тора, шириной проводников, расстояниями между ними.
Для полупроводниковых микросхем уменьшение ∆ по мере совершен-
ствования технологии показано на рис. 16, где заштрихованная область
соответствует достигнутым на разных этапах развития микроэлектро-
ники значениям ∆. При ∆ = 0,3–0,5 мкм возникают проблемы, связан-
ные с приближением размеров элементов, прежде всего транзисторов, к
их физическим пределам. Уменьшение размеров элементов до указан-
ных значений вызывает процессы деградации структуры кристалла
вследствие повышения плотности тока, напряженности электрических
полей и плотности выделяемой энергии. Особую проблему при исполь-
зовании элементов малых размеров представляет формирование надеж-
ных внутрисхемных соединений. Их поперечное сечение уменьшается,
а плотность тока растет. Это может приводить к разрушению проводни-
ков, расположенных на рельефной (не идеально плоской) поверхности,
к коротким замыканиям проводников, сформированных в разных слоях
N
10
6
10
4
10
2
1
1970
1980
1990
Годы
10
1
0,1
1970 1980 1990
Годы
∆
, мкм
1
2
3
4
5
Рис. 15 Рис. 16
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 66
- 67
- 68
- 69
- 70
- …
- следующая ›
- последняя »
