Составители:
70
Основными элементами современных МДП-микросхем являются
МДП-транзисторы с каналом n-типа. Площадь этих транзисторов на
кристалле значительно меньше, чем биполярных, поэтому для микро-
схем на n-канальных МДП-транзисторах достигается самая высокая
степень интеграции, но они уступают биполярным по быстродействию.
В комплементарных МДП-микросхемах применяют МДП-транзисторы
с индуцированными каналами n- и p-типа, для этих микросхем харак-
терна очень малая потребляемая мощность.
В специальных случаях в полупроводниковых микросхемах исполь-
зуют биполярные транзисторы в сочетании с МДП- либо полевыми тран-
зисторами с управляющим p-n-переходом. Для изготовления таких мик-
росхем требуется более сложная технология.
В арсенид-галлиевых полупроводниковых микросхемах активными
элементами служат полевые транзисторы с управляющим переходом
металл-полупроводник (МЕП-транзистор), кроме того, используют ди-
оды Шотки и полупроводниковые резисторы.
Характеристики и параметры дискретных биполярных, МДП- и МЕП-
транзисторов рассмотрены в [6]. Для транзисторов полупроводниковых
микросхем они, в основном, такие же. Специфика обусловлена конст-
рукцией транзисторов, меньшими размерами, наличием изолирующих
областей, малыми рабочими токами и напряжениями.
Полупроводниковые микросхемы в большинстве случаев являются
изделиями широкого применения: одни и те же микросхемы использу-
ются в микроэлектронной аппаратуре различного назначения. Они вы-
пускаются большими партиями: только при этом условии окупаются
высокие затраты на разработку новых типов микросхем.
Гибридная интегральная микросхема содержит пленочные пассив-
ные элементы и навесные компоненты. На рис. 17, а, показана структу-
ра простейшей гибридной микросхемы.
На диэлектрическую подложку 1 нанесены пленочные резисторы 2 и
пленочный конденсатор 5. С помощью клея (слой 4) на подложку уста-
новлен бескорпусный биполярный n-p-n-транзистор 3 с проволочными
выводами, соединенными с металлическими слоями. Соответствующая
электрическая схема приведена на рис. 17,б.
В гибридных микросхемах используются как простые, так и сложные
компоненты, например бескорпусные кристаллы полупроводниковых мик-
росхем. Электрические связи между элементами, компонентами и кристал-
лами осуществляют с помощью пленочных и проволочных проводников.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 68
- 69
- 70
- 71
- 72
- …
- следующая ›
- последняя »
