Конструкторско-технологическое обеспечение эксплуатационной надежности авиационного радиоэлектронного оборудования. Дмитриевский Е.С. - 69 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СПб ГУАП | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

69
друг над другом, вследствие пробоя или нарушения разделяющего их
тонкого диэлектрического слоя.
Уменьшение топологических размеров элементов приводит к улуч-
шению электрических параметров микросхем, в частности к повыше-
нию быстродействия из-за снижения паразитных емкостей р-n-перехо-
дов, увеличению крутизны полевых транзисторов и др. Однако и здесь
ограничивающим фактором являются внутрисхемные соединения, за-
держка сигнала, в которых не позволяет полностью использовать дос-
тигаемое высокое быстродействие элементов.
При разработке полупроводниковых микросхем конструкторы и тех-
нологи сталкиваются и с другими серьезными проблемами и ограниче-
ниями. Одна из самых трудных проблем – обеспечение конструктивно-
технологической совместимости различных элементов, создаваемых
внутри одного полупроводникового слоя. Он характеризуется строго
определенными электрофизическими параметрами, оптимальными для
одних элементов и малопригодными для других. Кроме того, для изго-
товления различных элементов, например биполярных и МДП-транзи-
сторов, необходимы свои технологические операции, так что одновре-
менное формирование этих элементов на одном кристалле затруднено.
Поэтому для полупроводниковых микросхем характерен крайне огра-
ниченный набор типов элементов в кристалле. Этим же объясняется их
разделение по типу применяемых активных элементов (транзисторов)
на два основных вида: микросхемы на биполярных транзисторах и мик-
росхемы на МДП-транзисторах (МДП– микросхемы).
Основным активным элементом биполярных микросхем является
транзистор типа n-p-n. Кроме того, используются диоды на основе p-n-
переходов и переходов металл-полупроводник (диоды Шотки), полупро-
водниковые резисторы, пленочные резисторы (в совмещенных микро-
схемах), изготавливаемые, например, в поликристаллическом слое крем-
ния, и в редких случаях – конденсаторы небольшой емкости. Транзисто-
ры типа p-n-p применяют значительно реже, чем n-p-n. Параметры по-
лупроводниковых слоев и последовательность технологических опера-
ций при изготовлении биполярных микросхем выбираются, прежде все-
го, с учетом обеспечения наилучших электрических параметров бипо-
лярных транзисторов типа n-p-n. Другие элементы формируются в ана-
логичных слоях одновременно с транзисторами. Использование пассив-
ных элементов (резисторов, конденсаторов) ограничено, так как по срав-
нению с транзисторами они занимают большую площадь на кристалле.

Страницы