Биполярные транзисторы. Догадин Н.Б. - 13 стр.

UptoLike

Составители: 

13
При рассмотрении работы транзистора отмечалось, что на границе
коллекторного перехода существуют объемные заряды, разделенные
диэлектриком, в модели это учитывается введением эквивалентного
конденсатора С
БК
(рис.9). Объемный заряд эмиттерного перехода
скомпенсирован смещением перехода в прямом направлении, однако
происходящее перемещение носителей из области эмиттера в область
базы, а затем коллектора на высоких частотах создает запаздывание в
протекании тока. Это связано с тем, что при колебаниях, период которых
сопоставим со временем перемещения носителей из эмиттера к
коллектору,
поле из ускоряющего (увеличивающего ток) в замедляющее
успевает перейти быстрее, чем все вызванные им носители достигнут
области коллекторного перехода. Это приводит к увеличению тока базы, и
уменьшению коэффициента усиления по току транзистора. Для учета
такого влияния вводят эквивалентный конденсатор С
ЭБ
, иногда
называемый «диффузионной емкостью эмиттерного перехода».
Контрольные вопросы и задания
1. Нарисуйте эквивалентную схему транзистора и поясните все ее
элементы.
2. Чем эквивалентный генератор тока отличается от эквивалентного
генератора напряжения?
3. Обоснуйте целесообразность использования в эквивалентной
схеме транзистора эквивалентного генератора тока, а не напряжения?
4. Чем обусловлено введение конденсаторов в эквивалентную
схему
транзистора?
1.4. Основные параметры биполярных транзисторов
Для численных значений, характеризующих свойства транзисторов,
используются несколько различных систем параметров. Наиболее
распространенной является система Н-параметров. Она одинакова и для
дифференциальных, и для интегральных параметров. Напомним, что
дифференциальными называются параметры, определяемые при
небольшом изменении (приращении) измеряемых величин, составляющих
единицы процентов от самой
величины. Они обозначаются малыми
буквами, например, h. Интегральными называются параметры, в которых
при их определении в качестве нижней границы изменения измеряемой
величины выбирают ее нулевое значение. То есть берется абсолютное
значение самой измеряемой величины. В этом случае параметр
обозначается заглавной буквой, например, Н. Для определенности при
рассмотрении будем использовать дифференциальные
параметры.
Система h-параметров связывает между собой входные и выходные
напряжения и токи. Входным присваивают индекс «1», выходным – «2». В
      При рассмотрении работы транзистора отмечалось, что на границе
коллекторного перехода существуют объемные заряды, разделенные
диэлектриком, в модели это учитывается введением эквивалентного
конденсатора СБК (рис.9). Объемный заряд эмиттерного перехода
скомпенсирован смещением перехода в прямом направлении, однако
происходящее перемещение носителей из области эмиттера в область
базы, а затем коллектора на высоких частотах создает запаздывание в
протекании тока. Это связано с тем, что при колебаниях, период которых
сопоставим со временем перемещения носителей из эмиттера к
коллектору, поле из ускоряющего (увеличивающего ток) в замедляющее
успевает перейти быстрее, чем все вызванные им носители достигнут
области коллекторного перехода. Это приводит к увеличению тока базы, и
уменьшению коэффициента усиления по току транзистора. Для учета
такого влияния вводят эквивалентный конденсатор СЭБ, иногда
называемый «диффузионной емкостью эмиттерного перехода».

                   Контрольные вопросы и задания

     1. Нарисуйте эквивалентную схему транзистора и поясните все ее
элементы.
      2. Чем эквивалентный генератор тока отличается от эквивалентного
генератора напряжения?
      3. Обоснуйте целесообразность использования в эквивалентной
схеме транзистора эквивалентного генератора тока, а не напряжения?
      4. Чем обусловлено введение конденсаторов в эквивалентную схему
транзистора?

          1.4. Основные параметры биполярных транзисторов

     Для численных значений, характеризующих свойства транзисторов,
используются несколько различных систем параметров. Наиболее
распространенной является система Н-параметров. Она одинакова и для
дифференциальных, и для интегральных параметров. Напомним, что
дифференциальными называются параметры, определяемые при
небольшом изменении (приращении) измеряемых величин, составляющих
единицы процентов от самой величины. Они обозначаются малыми
буквами, например, h. Интегральными называются параметры, в которых
при их определении в качестве нижней границы изменения измеряемой
величины выбирают ее нулевое значение. То есть берется абсолютное
значение самой измеряемой величины. В этом случае параметр
обозначается заглавной буквой, например, Н. Для определенности при
рассмотрении будем использовать дифференциальные параметры.
     Система h-параметров связывает между собой входные и выходные
напряжения и токи. Входным присваивают индекс «1», выходным – «2». В

                                                                    13