Биполярные транзисторы. Догадин Н.Б. - 18 стр.

UptoLike

Составители: 

18
2. Повторить измерения по п.1 для I
Б
= 75 мкА, 100 мкА, 125 мкА и
150 мкА.
3.
По данным табл.2 построить выходные характеристики
транзистора и по их графикам для U
КЭ
= 5 В определить выходное
сопротивление транзистора R
ВЫХ Э
= U
КЭ
/I
К
при токах базы I
Б
= 50 мкА,
I
Б
= 100 мкА и I
Б
= 150 мкА.
4. По графикам выходных характеристик транзистора определить его
коэффициент усиления по току h
21Э
= β = I
К
/I
Б
при U
КЭ
= 5 В и
U
КЭ
= 10 В для измеренных значений тока коллектора.
5. Используя построенные входные и выходные характеристики
транзистора определить его крутизну S = I
К
/U
БЭ
для U
КЭ
= 5 В и
U
КЭ
= 10 В при изменении тока базы I
Б
с 50 до 75 мкА и со 120 до 150 мкА.
Содержание отчета
. Отчет должен содержать принципиальную
схему макета, результаты измерений, построенные графики входных и
выходных характеристик транзистора, а также выполненные по ним
расчеты входных и выходных сопротивлений транзистора, его крутизны и
коэффициентов передачи по току для схемы с общим эмиттером. При
сдаче отчета необходимо уметь объяснить полученные данные.
Дополнительная литература
1. Жеребцов
И.П. Основы электроники. Л.: Энергоатомиздат, 1985.
2. Гершензон Е.М., Полянина Г.Д., Соина Н.В. Радиотехника. М.:
Просвещение, 1986.
       2. Повторить измерения по п.1 для IБ = 75 мкА, 100 мкА, 125 мкА и
150 мкА.
       3. По данным табл.2 построить выходные характеристики
транзистора и по их графикам для UКЭ = 5 В определить выходное
сопротивление транзистора RВЫХ Э = ∆UКЭ/∆IК при токах базы IБ = 50 мкА,
IБ = 100 мкА и IБ = 150 мкА.
       4. По графикам выходных характеристик транзистора определить его
коэффициент усиления по току h21Э = β = ∆IК/∆IБ при UКЭ = 5 В и
UКЭ = 10 В для измеренных значений тока коллектора.
       5. Используя построенные входные и выходные характеристики
транзистора определить его крутизну S = ∆IК/∆UБЭ для UКЭ = 5 В и
UКЭ = 10 В при изменении тока базы IБ с 50 до 75 мкА и со 120 до 150 мкА.
      Содержание отчета. Отчет должен содержать принципиальную
схему макета, результаты измерений, построенные графики входных и
выходных характеристик транзистора, а также выполненные по ним
расчеты входных и выходных сопротивлений транзистора, его крутизны и
коэффициентов передачи по току для схемы с общим эмиттером. При
сдаче отчета необходимо уметь объяснить полученные данные.

                         Дополнительная литература

     1. Жеребцов И.П. Основы электроники. Л.: Энергоатомиздат, 1985.
     2. Гершензон Е.М., Полянина Г.Д., Соина Н.В. Радиотехника. М.:
Просвещение, 1986.




18