Биполярные транзисторы. Догадин Н.Б. - 17 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГСПУ | Волгоград

Составители: 

Рубрика: 

17
2.2. Выполнение работы
Заготовить таблицы 1 и 2. С помощью клемм 1 и 2 лабораторного
макета соблюдая полярность подключить его к источнику питания.
Включить тумблер питания источника, и вращая в небольших пределах
ручки переменных резисторов R1 и R2 по изменениям показаний РV1,
РА1, РV2 и РА2 убедиться в работоспособности макета.
Задание 1.
Построение входных характеристик транзистора
1. С помощью резистора R2 по вольтметру РV2 установить выходное
напряжение транзистора U
КЭ
= 0 В. Изменяя резистором R1
напряжение
U
БЭ
согласно значениям, приведенным в табл.1, измерить с помощью
микроамперметра РА1 ток базы транзистора I
Б
и занести его значения в
соответствующие ячейки таблицы. При каждом измерении контролировать
и при необходимости восстанавливать напряжение U
КЭ
.
Таблица 1.
U
БЭ
, В 0 0,05 0,1 0,15 0,2 0,25 0,3 0,35 0,4 0,45
0
5
I
Б
,
мкА
при
U
КЭ
, В
10
2. Повторить измерения по п.1 для U
КЭ
= 5 В и U
КЭ
= 10 В.
3.
По данным табл.1 построить входные характеристики транзистора
и по их графикам для U
КЭ
= 0 В, а также U
КЭ
= 5 В определить его входное
сопротивление R
ВХ Э
= h
21Э
= ∆U
БЭ
/ ∆I
Б
при токах базы I
Б
= 50 мкА, 100 мкА
и 150 мкА.
Задание 2.
Построение выходных характеристик транзистора
1. С помощью резистора R1 по микроамперметру РА1 установить ток
базы транзистора I
Б
= 50 мкА. Изменяя резистором R2
напряжение U
КЭ
согласно значениям, приведенным в табл.2, измерить с помощью
миллиамперметра РА2 ток коллектора транзистора I
К
и занести его
значения в соответствующие ячейки таблицы. При каждом измерении
контролировать и при необходимости восстанавливать ток базы I
Б
.
Таблица 2.
U
КЭ
, В 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
50
75
100
125
I
К
,
мА
при
I
Б
,
мкА
150 
                           2.2. Выполнение работы

      Заготовить таблицы 1 и 2. С помощью клемм 1 и 2 лабораторного
макета соблюдая полярность подключить его к источнику питания.
Включить тумблер питания источника, и вращая в небольших пределах
ручки переменных резисторов R1 и R2 по изменениям показаний РV1,
РА1, РV2 и РА2 убедиться в работоспособности макета.

       Задание 1. Построение входных характеристик транзистора
      1. С помощью резистора R2 по вольтметру РV2 установить выходное
напряжение транзистора UКЭ = 0 В. Изменяя резистором R1 напряжение
UБЭ согласно значениям, приведенным в табл.1, измерить с помощью
микроамперметра РА1 ток базы транзистора IБ и занести его значения в
соответствующие ячейки таблицы. При каждом измерении контролировать
и при необходимости восстанавливать напряжение UКЭ.
                                                            Таблица 1.
      UБЭ, В        0 0,05 0,1 0,15 0,2 0,25 0,3 0,35 0,4 0,45
               0
 IБ,     при
               5
мкА UКЭ, В
               10

      2. Повторить измерения по п.1 для UКЭ = 5 В и UКЭ = 10 В.
      3. По данным табл.1 построить входные характеристики транзистора
и по их графикам для UКЭ = 0 В, а также UКЭ = 5 В определить его входное
сопротивление RВХ Э = h21Э = ∆UБЭ / ∆IБ при токах базы IБ = 50 мкА, 100 мкА
и 150 мкА.

       Задание 2. Построение выходных характеристик транзистора
      1. С помощью резистора R1 по микроамперметру РА1 установить ток
базы транзистора IБ = 50 мкА. Изменяя резистором R2 напряжение UКЭ
согласно значениям, приведенным в табл.2, измерить с помощью
миллиамперметра РА2 ток коллектора транзистора IК и занести его
значения в соответствующие ячейки таблицы. При каждом измерении
контролировать и при необходимости восстанавливать ток базы IБ.

                                                                Таблица 2.
       UКЭ, В         0    1    2    3    4    5    6    7    8    9 10
                50
       при      75
I К,
        IБ,     100
мА
       мкА      125
                150


                                                                         17

Страницы