ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
16
Контрольные вопросы и задания
1. Расскажите о системе H-параметров транзисторов. Какие
величины связывает она между собой?
2. Чем интегральные параметры отличаются от дифференциальных?
3. Расскажите о физическом смысле каждого из h-параметров.
4. Как учитывается снижение крутизны транзистора при повышении
его рабочей частоты?
5.По каким характеристикам и как определяются h
11
, h
12
, h
21
, h
22
?
6. Какие еще параметры, характеризующие работу транзистора, Вы
знаете?
2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ
2.1 Краткое описание схемы лабораторного макета
Принципиальная схема
лабораторного макета, предназначенного для
измерения входных и выходных характеристик биполярного транзистора,
приведена на рис.12. Исследуемый транзистор VТ1 подключается к макету
с помощью клемм Э, Б, К, к которым подсоединяются соответственно
выводы эмиттера, базы и коллектора транзистора. С помощью клемм 1 и 2
к макету подключается источник питания Е
П
с напряжением 10 … 20 В.
Переменным резистором R1 регулируется величина входного, а R2 –
выходного напряжений транзистора. Вольтметры РV1 и РV2 имеют
внутренние сопротивления более чем на порядок превышающими
соответственно входное и выходное сопротивления транзистора, поэтому
их влиянием на показания измерителей тока РА1 и РА2 можно пренебречь.
VТ1
R
1
V
V
мкА
мА
–
Е
П
+
R
2
РV2
РА1
РА2
Б
К
Э
РV1
1
2
Рис.12
Контрольные вопросы и задания
1. Расскажите о системе H-параметров транзисторов. Какие
величины связывает она между собой?
2. Чем интегральные параметры отличаются от дифференциальных?
3. Расскажите о физическом смысле каждого из h-параметров.
4. Как учитывается снижение крутизны транзистора при повышении
его рабочей частоты?
5.По каким характеристикам и как определяются h11, h12, h21, h22?
6. Какие еще параметры, характеризующие работу транзистора, Вы
знаете?
2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ
2.1 Краткое описание схемы лабораторного макета
Принципиальная схема лабораторного макета, предназначенного для
измерения входных и выходных характеристик биполярного транзистора,
приведена на рис.12. Исследуемый транзистор VТ1 подключается к макету
с помощью клемм Э, Б, К, к которым подсоединяются соответственно
1
мА R2
VТ1
К РА2
РА1 ЕП
Б
R1 мкА V РV2 +
РV1 V Э
2
Рис.12
выводы эмиттера, базы и коллектора транзистора. С помощью клемм 1 и 2
к макету подключается источник питания ЕП с напряжением 10 20 В.
Переменным резистором R1 регулируется величина входного, а R2
выходного напряжений транзистора. Вольтметры РV1 и РV2 имеют
внутренние сопротивления более чем на порядок превышающими
соответственно входное и выходное сопротивления транзистора, поэтому
их влиянием на показания измерителей тока РА1 и РА2 можно пренебречь.
16
