Биполярные транзисторы. Догадин Н.Б. - 14 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГСПУ | Волгоград

Составители: 

Рубрика: 

14
этом случае U
m1
соответствует амплитуде входного, а U
m2
– выходного
напряжений. Тогда система уравнений имеет вид:
U
m1
= h
11
I
m1
+ h
12
U
m2
;
I
m2
= h
21
I
m1
+ h
22
U
m2
.
Принимая в них одну из величин тока или напряжения неизменной,
т.е. не имеющей переменной составляющей, можно поочередно
определить все входящие в уравнения параметры. Их численные значения
зависят от схем включения транзисторов, поэтому при приведении
конкретных данных в обозначениях параметров добавляют букву,
показывающую схему включения транзистора, при которой они были
определены (Э – ОЭ, Б – ОБ, К – ОК). Рассмотрим параметры и их типовые
численные значения для схем включения с ОЭ и ОБ.
h
11
= ΔU
m1
/ΔI
m1
(при U
m2
= const) – входное сопротивление
транзистора. Для схемы с ОЭ h
11Э
= ΔU
ЭБ
/ΔI
Б
и составляет около 1кОм,
для схемы с ОБ h
11Б
= ΔU
ЭБ
/ΔI
Э
и составляет единицы или десятки Ом.
h
12
= ΔU
m1
/ΔU
m2
(при I
m1
= const) – коэффициент обратной связи
транзистора. Для схемы с ОЭ h
12Э
= ΔU
ЭБ
/ΔU
КЭ
и составляет 10
-3
–10
-4
, для
схемы с ОБ h
12Б
= ΔU
ЭБ
/ΔIU
КБ
и тоже составляет 10
-3
–10
-4
.
h
21
= ΔI
m2
/ΔI
m1
(при U
m2
= const) – коэффициент передачи по току.
Для схемы с ОЭ h
21Э
= ΔI
К
/ΔI
Б
= β и составляет десятки–сотни раз, для
схемы с ОБ h
21Б
= ΔI
К
/ΔI
Э
= α и его величина меньше 1 (0,95 – 0,998).
Коэффициенты передачи по току для этих схем включения связаны между
собой соотношением β = α/(1 – α).
h
22
= ΔI
m2
/ΔU
m2
(при I
m1
= const) – выходная проводимость
транзистора. Для схемы с ОЭ 1/h
22Э
= ΔU
КЭ
/ΔI
К
и составляет единицы–
десятки кОм, для схемы с ОБ 1/ h
22Б
= ΔU
КБ
/ΔI
К
= r
К
и составляет сотни
кОм – единицы МОм.
Еще одним параметром, часто используемым при рассмотрении
работы транзисторов, является крутизна характеристики его управления
или просто «крутизна», показывающая насколько изменяется выходной
ток транзистора при изменении входного напряжения S = ΔI
К
/ΔU
ЭБ
=
h
21
/h
11
. Единицей ее измерения служит – мА/В. При усилении колебаний с
высокими частотами (когда начинают проявляться барьерные и
диффузионные емкости) значение крутизны становится комплексным, что
учитывается по формуле: S
= S
0
/(1 + jωτ
S
), где S
0
– низкочастотное
значение крутизны, τ
S
– постоянная времени крутизны.
Основные параметры транзистора могут быть измерены
специальными измерительными приборами, либо рассчитаны по
приведенным в справочниках или экспериментально полученным его
характеристикам. Учитывая, что дифференциальные параметры в
значительной степени зависят от абсолютных величин протекающих через
транзистор токов (I
Б И
) или приложенных к нему напряжений (U
КЭ И
) их
значения указываются одновременно с самими параметрами как условия 
этом случае Um1 соответствует амплитуде входного, а Um2 – выходного
напряжений. Тогда система уравнений имеет вид:
                         Um1 = h11 Im1 + h12Um2;
                          Im2 = h21 Im1 + h22 Um2.
       Принимая в них одну из величин тока или напряжения неизменной,
т.е. не имеющей переменной составляющей, можно поочередно
определить все входящие в уравнения параметры. Их численные значения
зависят от схем включения транзисторов, поэтому при приведении
конкретных данных в обозначениях параметров добавляют букву,
показывающую схему включения транзистора, при которой они были
определены (Э – ОЭ, Б – ОБ, К – ОК). Рассмотрим параметры и их типовые
численные значения для схем включения с ОЭ и ОБ.
       h11 = ΔUm1/ΔIm1 (при Um2 = const) – входное сопротивление
транзистора. Для схемы с ОЭ h11Э = ΔUЭБ/ΔIБ и составляет около 1кОм,
для схемы с ОБ h11Б = ΔUЭБ/ΔIЭ и составляет единицы или десятки Ом.
       h12 = ΔUm1/ΔUm2 (при Im1 = const) – коэффициент обратной связи
транзистора. Для схемы с ОЭ h12Э = ΔUЭБ/ΔUКЭ и составляет 10-3–10-4, для
схемы с ОБ h12Б = ΔUЭБ/ΔIUКБ и тоже составляет 10-3–10-4.
       h21 = ΔIm2/ΔIm1 (при Um2 = const) – коэффициент передачи по току.
Для схемы с ОЭ h21Э = ΔIК/ΔIБ = β и составляет десятки–сотни раз, для
схемы с ОБ h21Б = ΔIК/ΔIЭ = α и его величина меньше 1 (0,95 – 0,998).
Коэффициенты передачи по току для этих схем включения связаны между
собой соотношением β = α/(1 – α).
       h22 = ΔIm2/ΔUm2 (при Im1 = const) – выходная проводимость
транзистора. Для схемы с ОЭ 1/h22Э = ΔUКЭ/ΔIК и составляет единицы–
десятки кОм, для схемы с ОБ 1/ h22Б = ΔUКБ/ΔIК = rК и составляет сотни
кОм – единицы МОм.
       Еще одним параметром, часто используемым при рассмотрении
работы транзисторов, является крутизна характеристики его управления
или просто «крутизна», показывающая насколько изменяется выходной
ток транзистора при изменении входного напряжения S = ΔIК/ΔUЭБ =
h21/h11. Единицей ее измерения служит – мА/В. При усилении колебаний с
высокими частотами (когда начинают проявляться барьерные и
диффузионные емкости) значение крутизны становится комплексным, что
учитывается по формуле: S = S0/(1 + jωτS), где S0 – низкочастотное
значение крутизны, τS – постоянная времени крутизны.
       Основные параметры транзистора могут быть измерены
специальными измерительными приборами, либо рассчитаны по
приведенным в справочниках или экспериментально полученным его
характеристикам. Учитывая, что дифференциальные параметры в
значительной степени зависят от абсолютных величин протекающих через
транзистор токов (IБ И) или приложенных к нему напряжений (UКЭ И) их
значения указываются одновременно с самими параметрами как условия
14

Страницы