Сплавы и соединения для электронной техники. Егоров В.Н. - 10 стр.

   Более строгий квантово-механический расчет позволяет вычислить коэффициенты А, а, В, b
в формулах (2.1.2) и (2.1.3). В табл. 2.1.1 приведена удельная электропроводность ряда чистых
металлов при комнатной температуре, вычисленная теоретически (γтеор) и определенная
экспериментально (γ эксп )
   Из данных этой таблицы видно, что согласие теории с опытом является удовлетворительным
для Na и К, у которых состояние электронов проводимости близко к состоянию свободных
электронов. С увеличением атомной массы металла увеличивается потенциал решетки, растет
взаимодействие электронов проводимости с решеткой и приближение свободных электронов
выполняется хуже. Поэтому наблюдается все большее расхождение между γ теор и γ эксп .


                                                                              Табл.2.1.2
                   Т, °К        273     87,4     57,8     20,4      11,1         4,2
               (γ о / γ )теор     1     0,2645 0,1356 0,0060        0,0003      3 10-6
               (γ о / γ )эксп     1     0,2551 0,1314 0,0058        0,0003      3 10-6

   В табл. 2.1.2 приведены отношения проводимости γ о золота при 273 °К к проводимости его
γ при низких температурах, вычисленные теоретически и определенные экспериментально.
   Как видно, согласие теории с опытом является вполне удовлетворительным.
                          2.2 Электропроводность металлических сплавов
   В металлических сплавах концентрация носителей также не зависит от температуры.
Поэтому температурная зависимость электропроводности сплавов целиком определяется
зависимостью подвижности носителей от температуры. Рассмотрим этот вопрос более
подробно.
   Предположим, что в идеальной решетке металла, например меди имеющей строго
периодический потенциал U (рис. 2.2.1, а), часть узлов беспорядочно замещена атомами другого
элемента, например золота. Так как потенциал поля примесных атомов отличен                от
потенциала основных атомов, то потенциал решетки не сохранится строго периодическим
(рис. 2.2.1, б). Он нарушается беспорядочно распределенными примесными атомами. Такое
нарушение        приводит,   естественно к рассеянию         носителей и дополнительному
электрическому сопротивлению.




                                   Рис 2.2.1 Потенциальная диаграмма для:
                                а- идеальной решетки; б-решетки с примесями