Составители:
Рубрика:
Рис.3.15. Энергетический спектр
кристалла полупроводника с по-
верхностными состояниями. Ми-
нимальная энергия электронов в
вакууме (Е
ВАК
) больше энергии
Ферми Е
F
на величину, равную ра-
боте выхода электронов Ф. Там-
мовские уровни показаны отрезками на поверхности . Справа внизу приведены про-
странственные распределения электронной плотности в объеме и на поверхностных
состояниях в полупроводнике
При хемосорбции происходит заметное перекрывание волно-
вых функций электронов кристалла и адсорбированной частицы (обра-
зуется химическая связь), так что частицу можно рассматривать как
примесь, локально нарушающую периодичность потенциала решетки и
приводящую к возникновению в запрещенной зоне полупроводника
поверхностного уровня.
Так, кислород, сорбированный на поверхности германия, создает
акцепторные уровни, водород - донорные.
Характер уровней на реальной поверхности полупроводника зависит
от природы поверхности и частиц. Они могут быть акцепторными, до-
норными или типа рекомбинационных ловушек.
Поверхность реального полупроводника в нормальных услови-
ях покрыта слоем оксида толщиной, по крайней мере, десятки ангстрем.
Поверхностные состояния могут при этом находиться не только на самой
104
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 102
- 103
- 104
- 105
- 106
- …
- следующая ›
- последняя »
