Составители:
Рубрика:
состояния. В таком случае поверхность полупроводника должна об-
ладать металлической проводимостью.
Однако эксперименты, проведенные на Si и Ge с чистой поверх-
ностью, не подтверждают этого ожидания. Хотя существование зон по-
верхностных состояний в запрещенной зоне и у Ge, и у Si надежно
установлено, поверхности их обладают полупроводниковыми, а не
металлическими свойствами.
Это обусловлено атомной реконструкцией поверхности. Стремле-
ние поверхностных электронов к образованию связей приводит в случае
чистой поверхности к образованию дополнительных связей между са-
мими поверхностными атомами. Соседние атомы поверхностного слоя
образуют дополнительные связи между собой, объединяясь в пары.
При этом на поверхности период кристаллической решетки оказывается
равным уже не периоду кристаллической решетки а, а расстоянию
2а между центрами соседних пар.
Таким образом, на поверхности происходит реконструкция
с удвоением периода (реконструкция 2x1; символ m x n соответствует
реконструции, при которой период на поверхности в одном направле-
нии увеличивается в m раз, а в другом - в n раз).
Реконструкция поверхности, в свою очередь, приводит к измене-
нию энергии поверхностных электронов.
3.5. Некоторые свойства полупроводников в сильных электрических
полях
В последнее время свойства полупроводников в сильных электри-
ческих полях имеют большое практическое значение в связи с появлени-
106
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 104
- 105
- 106
- 107
- 108
- …
- следующая ›
- последняя »
