Составители:
Рубрика:
поверхности полупроводника, но также и в слое окисла, и на его
поверхности, сорбирующей примесные атомы (рис.3.15).
В отличие от состояний, находящихся вблизи границы раздела
полупроводник - окисел на самой поверхности полупроводника и поэто-
му приходящих в равновесие с объемом полупроводника за времена по-
рядка 10
-8
-10
-4
секунды (так называемые быстрые состояния), поверхно-
стные состояния, расположенные в слое оксида или на его поверх-
ности являются медленными поверхностными состояниями:
время установления равновесия для них - от миллисекунд до десятков
часов. Такие большие времена объясняются необходимостью прохож-
дения электронами слоя оксида, являющегося диэлектриком (рис.3.16).
Рис.3.16. Быстрые (1) и медленные (2)
поверхностные состояния полупровод-
ника, покрытого естественным слоем
оксида
Плотность медленных поверхностных состояний значительно выше,
чем быстрых, и зависит от их природы и внешней среды.
При высокой плотности поверхностных состояний должна образо-
ваться поверхностная энергетическая зона. Электроны, находящиеся в
этой зоне, могут двигаться только вдоль поверхности. Можно ожидать, что
уровень Ферми попадает внутрь одной из разрешенных зон поверхност-
ных состояний так, что эта зона содержит как занятые, так и свободные
105
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 103
- 104
- 105
- 106
- 107
- …
- следующая ›
- последняя »
