Физические основы полупроводникового материаловедения. Ежовский Ю.К - 109 стр.

UptoLike

минимумах. В области минимума А m
A
* 0,7m (электроны легкие). В
области минимума В m
В
* 1,2m (электроны тяжелые). Подвижность лег-
ких электронов составляет
μ
А
(4000 - 8000) см
2
/ (В с), подвижность тя-
желых
μ
В
(100 - 200) см
2
/(В с).
а б
Рис.3.17. Зонная структура арсенида галлия (а) и зависимость плотности тока от на-
пряженности электрического поля (б). 1- зона проводимости, 2 – валентная зона
Изменение подвижности носителей связано с переходом электронов
из минимума А в минимум В. При слабых полях электроны находятся в
термодинамическом равновесии с решеткой. Поскольку энергия электро-
нов в обычных условиях много меньше расстояния (по шкале энергий),
между минимумами практически все электроны занимают уровни в ми-
нимуме А, то есть n
А
= n
0
.. Плотность тока в этом случае
Eenj
A
μ
01
=
. (3.39)
С ростом напряженности поля энергия электронов повышается и при не-
котором критическом значении Е
кр
становится возможным их переход из
109