Физические основы полупроводникового материаловедения. Ежовский Ю.К - 111 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

ди, уходят от домена, и формируют область, обедненную электронами, то

есть область положительного объемного заряда (рис. 3.18, а).

Через некоторое время устанавливается стационарное состояние,

при котором скорость движения домена равна скорости перемещения

электронов вне домена. Это происходит потому, что поле внутри домена

сильно возросло и вследствие этого возрастает скорость движения элек-

тронов в нём. Поле вне домена, наоборот, резко уменьшилось. Поэтому

дрейфовая скорость электронов за пределами домена снижается. Когда

домен достигает границы образца, он разрушается.

Рис.3.18. Структура электрического домена (а) и осцилляции тока в образце (б)

Пусть внешнее напряжение прикладывается к образцу в момент

времени t

. При этом возникает ток, имеющий некоторое максимальное

значение (рис. 3.18, б). Сразу же на одной из неоднородностей начинается

образование домена. Этот процесс протекает очень быстро, так как по-

стоянная времени, связанная с переходом электронов из минимума А в

минимум В, составляет примерно 10-12 с. Сила тока резко уменьшается

до значения, определяемого скоростью движения домена. Это значение

111