Составители:
Рубрика:
минимума А в минимум В, где подвижность значительно ниже. Плот-
ность тока при этом изменяется и в конечном итоге становится равной:
Eenj
B
μ
02
=
. (3.40)
Поскольку
μ
В
<
μ
А
, то в результате на зависимости появляется участок с
отрицательной дифференциальной проводимостью (рис.3.17, б).
Рассмотрим более подробно механизм электрической неустойчи-
вости, приводящий к высокочастотным осцилляциям тока. Это удобно
сделать на примере опыта Ганна. Представим, что к образцу полупровод-
ника, имеющему форму параллелепипеда длиной L, приложено внешнее
напряжение. Если полупроводник однороден, то электрическое поле в
образце также однородно. Однако любой реальный кристалл содержит
некоторые неоднородности. Наличие неоднородности с повышенным со-
противлением приводит к тому, что в этом месте образца напряженность
электрического поля имеет повышенное значение. При увеличении на-
пряженности внешнего поля значение Е
кр
здесь достигается раньше, чем в
остальной части образца. Вследствие этого в области неоднородности на-
чинаются переходы из минимума А в минимум В, то есть появляются тя-
желые электроны. Подвижность электронов здесь уменьшается, а сопро-
тивление возрастает. Это приводит к увеличению напряженности поля в
месте локализации неоднородности и более интенсивному, переходу
электронов в минимум В. Поле в образце становится резко неоднород-
ным.
Такая зона с сильным электрическим полем получила название
электрического домена. Домен, содержащий тяжелые электроны, кото-
рый под действием поля перемещается вдоль образца с относительно
низкой скоростью (так как подвижность тяжелых электронов мала). Лег-
кие электроны также перемещаются в поле, причем с большей скоростью.
Электроны, которые движутся сзади домена, догоняют его и образуют
область отрицательного объемного заряда, а те, которые движутся впере-
110
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 108
- 109
- 110
- 111
- 112
- …
- следующая ›
- последняя »
