Физические основы полупроводникового материаловедения. Ежовский Ю.К - 112 стр.

UptoLike

тока сохраняется до тех пор, пока домен не разрушится на границе образ-
ца.
Время движения домена
d
V
L
t =
/
, (3.41)
где V
d
- скорость движения домена.
Сила тока снова возрастает до значения I
max
, снова образуется до-
мен и ток уменьшается. Так возникают колебания тока. Частота колеба-
ний определяется длиной образца. Например, при L=50 мкм она составля-
ет 2 ГГц. Скорость движения домена не зависит от внешнего поля и со-
ставляет 10
5
м/с. Поле лишь изменяет толщину домена.
В настоящее время эффект Ганна широко используется для созда-
ния полупроводниковых генераторов СВЧ - колебаний.
Явление
ударной ионизации связано с увеличением электропро-
водности твердого тела в сильных полях и вызвано увеличением концен-
трации носителей заряда. Если напряженность электрического поля пре-
вышает 10
7
В/м, электроны проводимости приобретают энергию, доста-
точную для ионизации атомов. В результате ионизации образуются элек-
тронно-дырочные пары, которые ускоряются полем до высоких энергий и
тоже могут ионизовать атомы. Таким образом, концентрация свободных
носителей лавинообразно нарастает. Этот процесс и получил название
ударной ионизации. Ударная ионизация не приводит к немедленному
пробою вещества, поскольку электроны (и дырки), рассеиваясь на фоно-
нах, передают свою энергию решетке и могут рекомбинировать.
Эффект Зинера наблюдается в очень сильных электрических по-
лях (больше 10
9
В/м). Увеличение концентрации носителей в этом случае
осуществляется за счет туннельного перехода электронов из валентной
зоны в зону проводимости; У полупроводника, помещенного в электри-
ческом поле, наблюдается наклон энергетических зон тем больший, чем
выше напряженность электрического поля (рис.3.19).
112