Составители:
Рубрика:
Рис.3.19. Энергетические зоны полупроводника в сильном электрическом поле и эф-
фект туннелирования
Переход через запрещенную зону А→В не требует затрат энергии
и осуществляется за счет туннельного эффекта. Ширина барьера умень-
шается с увеличением напряженности поля, что увеличивает вероятность
туннельного перехода.
Вопросы и задания к главе 3
1. Поясните термины «донорный полупроводник», «акцептор-
ный полупроводник», «собственный полупроводник».
2. Сколько электронов находится на уровне Ферми в собствен-
ном полупроводнике? Как влияет температура на положение этого
уровня?
3. Зависит ли произведение концентраций основных и неос-
новных носителей заряда в примесном полупроводнике от положения
уровня Ферми и почему?
4. Что характеризует тангенс угла наклона линейных участков
на температурной зависимости концентрации свободных носителей
заряда в примесном полупроводнике?
113
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 111
- 112
- 113
- 114
- 115
- …
- следующая ›
- последняя »
