Составители:
Рубрика:
5. Объясните причины возникновения максимума на темпе-
ратурной зависимости подвижности носителей заряда в примес-
ном полупроводнике
6. Поясните, что такое вырожденный электронный газ?
7. Поясните, что такое таммовские уровни и какова природа их
возникновения?
8. Какие эффекты относятся к эффектам сильного поля?
9. Существует ли зависимость частоты импульсов колебаний ге-
нератора Ган
на от длины образца?
10. Существуют ли качественные различия между диэлектрика-
ми и полупроводниками с точки зрения их зонного строения?
11. Объясните порядок заполнения зон электронами на примере
щелочного металла (натрий).
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Павлов П.В., Хохлов А.Ф. Физика твердого тела:Учебник.-
3-е изд.-М.: Высш.шк., 2000.-494 с.
2. Фистуль В.и. Физика и химия твердого тела: Учебник для
вузов.- М.: Металлургия, 1995.- 480 с.
3. Гуртов В.А. Твердотельная электроника: Учеб. пособие.-
Петрозаводск, ПетрГУ,2004.- 312 с.
4. Кордон М. Основы физики полупроводников.- 3-е изд.-
М.:Физматлит, 2002.- 560 с.
5. Ормонт Б.Ф.Введение в физическую химию полупровод-
ников.- М.: Высш.шк,1982.- 528 с.
СОДЕРЖАНИЕ
114
