Физические основы полупроводникового материаловедения. Ежовский Ю.К - 32 стр.

UptoLike

Точечные дефекты определяют многие электрические и оптические
свойства кристаллов, а также диффузионные процессы. Пластичность
материалов вызвано наличием дислокаций.
1.6.2. Термодинамика образования дефектов
ходить по двум меха-
акие дефекты возникают в кристаллах с невысоким коэффициентом
Шоттки происходит вблизи поверхности
Образование точечных дефектов может про
низмам: по Френкелю и по Шоттки. Образование дефектов по Френ-
келю происходит за счет теплового (или иного вида воздействия) пе-
ремещения атома из узла кристаллической решетки в междоузельное
положение. В этом случае одновременно образуется вакансия и меж-
доузельный атом ( рис. 1.12, а), то есть образуются парные дефекты.
Рис. 1.12. Образование точечных дефектов по Френкелю (а) и по Шоттки (б)
Т
компактности, например в кристаллах со структурой алмаза или про-
стой кубической решеткой.
Образование дефектов по
за счет выхода атома на поверхность с последующей диффузией обра-
зовавшейся вакансии в глубь кристалла (рис.1.12, б). При таком меха-
низме возникает только один тип дефектов - вакансия. Он характерен
для плотно упакованных структур, например металлов.
32