Физические основы полупроводникового материаловедения. Ежовский Ю.К - 38 стр.

UptoLike

а
б
Рис. 1.14. Структура оксида с дефицитом кислорода МО
2-х
, в которой пре-
обладают кислородные вакансии (а), структура оксида с дефицитом кислорода
(избыток металла) М
1+у
О
2
, в которой преобладают междоузельные катионы
Для обозначения дислокаций принят символ
, причемножка
этого символа направлена в сторону избыточного материала, как по-
казано на рис 1.15.
Одной из важнейших характеристик дислокации является вектор
смещения - вектор Бюргерса
b, определяемый из одноименного кон-
тура. Сопоставление контуров Бюргерса, один из которых проведен
вокруг совершенной части кристалла, а другой - в области, содержа-
щей дислокацию, показывает (рис.1.15), что при одинаковом количе-
стве шагов в противоположных частях кристалла в замкнутом контуре
появляется дополнительный вектор. Ошибка в замыкании такого кон-
тура (отрезок АВ) (рис.1.15) и есть вектор Бюргерса. Для контура, за-
мыкающегося вокруг нескольких дислокаций вектор Бюргерса равен
сумме векторов Бюргерса отдельных дислокаций. Для краевой дисло-
кации вектор Бюргерса перпендикулярен линии дислокации. В случае
винтовой дислокации вектор Бюргерса параллелен оси дислокации.
38