Физические основы полупроводникового материаловедения. Ежовский Ю.К - 40 стр.

UptoLike

В поликристаллических материалах основным двумерным дефек-
том, определяющим их свойства, являются границы зерен. По сути
дела это границы между двумя совершенными кристаллами, имеющие
малый угол разориентации. Угол разориентации (
θ
) связан с вектором
Бюргерса краевых дислокаций и расстоянием между ними (d ) соот-
ношением
tg
θ
θ
b/d. (1.32)
Вопросы и задания к главе 1
1. Указать распределение электронов по квантовым состояниям в сво-
бодных атомах кремния и меди. Какие электроны участвуют в хими-
ческой связи, если эти вещества находятся в кристаллическом состоя-
нии? Объяснить различия в природе химической связи этих материа-
лов.
2. Указать распределение электронов по квантовым состояниям в сво-
бодных атомах кремния и меди. Какие электроны участвуют в хими-
ческой связи, если эти вещества находятся в кристаллическом состоя-
нии? Объяснить различия в природе химической связи этих материа-
лов.
3. Определить энергию кристаллической решетки NaCl по кулонов-
скому приближению (А=1,74,
ε
= 5,62).
4. Используя представления о ненасыщенности металлической связи,
оценить изменение твердости, температуры плавления и электропро-
водности в ряду изоструктурных металлов: Cs, Ba, La, Hf, Ta, Mo.
5. На каждую cвязь С-С в алмазе приходится 3,7 эВ. Сколько энергии
необходимо затратить для испарения 0,1 г алмаза?
6. Энергия одной ковалентной связи Si-Si равна 1,8 эВ, а Ge-Ge -
1,6 эВ. Найти энергию, необходимую для испарения 1 г кремния. Ка-
40