Физические основы полупроводникового материаловедения. Ежовский Ю.К - 39 стр.

UptoLike

Образование дислокаций вызывает деформацию определенной час-
ти кристалла. Энергия упругой деформации (
ε
d
) вокруг дислокации
приходящаяся на единицу ее длины (удельная энергия), связана с век-
тором Бюргерса соотношением
r
R
bG
d
ln
4
2
π
ε
=
, (1.30)
где G-модуль сдвига; R -радиус поля напряжений; r- радиус ядра
дислокации.
Рис.1.15. Образование краевой (а) и винтовой (б) дислокаций. Стрелкой показан
вектор сдвига. 0-0
/
- ось дислокации
Обычно r (2-3)b
; R 10
4
b, то есть при единичном векторе Бюргер-
са упругие деформации снимаются на расстоянии ~10
4
межатомных.
Полная энергии дислокации определяется ее длиной (l):
Е
d
=
ε
d
.
l . (1.31)
Обычно на 1м длины эта величина составляет около 10
-9
Дж, а на од-
но межатомное расстояние
10
-18
Дж (
6 эВ). Это очень большая ве-
личина.
Для таких линейных дефектов как цепочки вакансий или меж-
доузельных атомов контур Бюргерса не отличается от контура, прове-
денного в бездефектной части кристалла, поэтому для цепочки линей-
ных дефектов вектор Бюргерса равен нулю.
39