Физические основы полупроводникового материаловедения. Ежовский Ю.К - 59 стр.

UptoLike

Для р-состояний минимум энергии E
pmin
= Е'
р
- 2А
Р
находится при
к
a/
π
, а максимум Е
рmах
= Е'
р
+ 2А
Р
- при к=0; ширина р-зоны
составляет 4А
Р
.
Чем выше энергетический уровень атома, тем сильнее пере-
крываются волновые функции электронов этого уровня в кристалле,
больше обменный интеграл, а следовательно, и шире соответст-
вующие разрешенные зоны.
Сравнивая зависимости Е(к) в приближении свободных и в
приближении слабосвязанных электронов, можно заметить как об-
щие черты, так и различия. Всюду, кроме значений к
an /
π
,
энергетический спектр слабосвязанных электронов похож на
спектр свободных электронов (рис.2.4.).
При к
an /
π
квазинепрерывный энергетический спектр
слабосвязанных электронов обнаруживает разрывы - запрещенные
зоны.
Учитывая, что к = 2
λ
π
/
, условия разрывов в терминах длин волн
де Бройля электрона имеют вид 2а=
λ
n
,то есть соответствуют от-
ражению электронов от атомных плоскостей в кристаллической
решетке (условию отражения Вульфа-Брегга при угле между на-
правлением скорости электрона и плоскостью кристаллической ре-
шетки равном 90). Испытывая брэгговское отражение, электро-
ны с такими длинами волн двигаться в кристалле не могут.
59