Физические основы полупроводникового материаловедения. Ежовский Ю.К - 62 стр.

UptoLike

Зоны Бриллюэна для трехмерных решеток имеют вид
граненых объемных фигур. Утверждение о равенстве всех зон
Бриллюэна сохраняет силу и для двухмерных и трехмерных реше-
ток.
Возвращаясь к модели одномерного кристалла исследуем осо-
бенности дисперсионной зависимости Е(к) в пределах первой зоны
Бриллюэна.
Как было показано, дисперсионная кривая Е(к) имеет экс-
тремумы в середине и на границах первой зоны Бриллюэна (т.е.
при к=0 и к
a/
π
).
Разлагая cos(ка) в ряд по ка и ограничиваясь двумя членами
разложения (соз(ка)<< 1- (ка)
2
/2), получаем:
E
S
(K) = E
smin
+ А
s
(ка)
2
;
E
Р
(K) = E
рmах
+ А
р
(ка)
2
;
Минимум дисперсионной кривой называется дном энергетиче-
ской зоны, а максимум - потолком зоны.
Рис.2.5. Зоны Бриллюэна для двумерной квадратной решетки
- 1-ая зона Бриллюэна;
- 2-ая зона Бриллюэна;
62