Физические основы полупроводникового материаловедения. Ежовский Ю.К - 75 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

не при этом образуются дырки (рис.3.2). Ясно, что концентрация

электронов n будет равна концентрации дырок р: n=р . (3.1 )

Одновременно с процессом образования свободных носителей

заряда (генерацией) идет процесс их исчезновения (рекомбинация).

а б

Рис.3.1 . Зонная диаграмма (а) и распределение электронов (б) в собственном полу-

проводнике при Т=О К и Т≠ О К (f(E) - функция распределения Ферми-Дирака, g(E) -

энергетическая плотность разрешенных состояний, g(E) f(E) – плотность заполнен-

ных электронами разрешенных состояний)

Часть электронов возвращается из зоны проводимости в валентную

зону и заполняет разорванные связи (дырки). При данной температу-

ре за счет действия двух конкурирующих процессов в полупровод-

нике устанавливается некоторая равновесная концентрация носите-

лей заряда.