Физические основы полупроводникового материаловедения. Ежовский Ю.К - 77 стр.

UptoLike

свободных электронов:
E
m
ne
vnej
n
τ
2
>=<=
, (3.2)
где - эффективная масса электрона;
n
m
>< v
- средняя скорость дрейфа в электрическом поле;
τ - время релаксации.
Отсюда для удельной электропроводности получим
n
m
ne
τ
σ
2
=
. (3.3 )
Введем понятие подвижность электронов, численно равную средней
скорости дрейфа в электрическом поле единичной напряженности:
E
v
n
>
<
=
μ
. (3.4)
Тогда получим
Enej
n
μ
=
и
n
ne
μ
σ
=
. (3.5)
Аналогичные выражения можно записать и для дырочной со-
ставляющей. Результирующая электропроводность собственного по-
лупроводника определяется суммой электронной и дырочной
компонент :
pn
epen
μ
μ
σ
+
=
(3.6)
Если в полупроводник введена донорная (элементы 5 группы
системы Д.И.Менделеева) или акцепторная (элементы 3 группы)
примесь, то такой полупроводник называется примесным.
Рассмотрим полупроводник, легированный донорной приме-
сью.
Из общих соображений понятно, что незадействованный в об-
разовании химических связей валентный электрон примеси может
сравнительно легко оторваться от атома примеси и оказаться в зоне
проводимости полупроводника (рис.3.3).
77