Физические основы полупроводникового материаловедения. Ежовский Ю.К - 78 стр.

UptoLike

Энергия связи относительно слабо связанного электрона с
атомом примеси может быть оценена в рамках модели электрона в
атоме водорода (модель водородоподобного примесного атома) с
двумя существенными поправками.
а б
Рис.3.3. Схематическое (плоскостное) изображение кристаллической
решетки кремния с фосфором в качестве примеси замещения (а) и энергети-
ческая диаграмма примесного полупроводника с донорной примесью (б).
Примесные уровни обозначены черточками, что означает пространственную
(вблизи примесных атомов) локализацию примесных состояний, в отличие
от состояний в разрешенных зонах, которые делокализованы в пространстве
Во-первых, вместо реальной массы электрона в модели
должна фигурировать эффективная масса m
n
.
Во-вторых, энергия связи должна быть в ε
2
раз меньше
(ε-диэлектрическая проницаемость полупроводника) из-за
влияния материала полупроводника .
78