Физические основы полупроводникового материаловедения. Ежовский Ю.К - 76 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Если к полупроводнику приложить электрическое поле, на-

пряженностью Е, то в нем возникает ток, складывающийся из элек-

тронной и дырочной составляющих.

а б

Рис.3.2. Схематическое изображение кристаллической решетки собствен-

ного полупроводника и разрыва химической связи Si-Si (а), процесс генерации

пары электрон –дырка в собственном полупроводнике (б)

Полупроводники, в которых за счет перехода некоторого коли-

чества электронов из валентной зоны в зону проводимости образует-

ся такое же количество дырок, называют собственными. Соответст-

венно их проводимость, состоящую из электронной и дырочной со-

ставляющих, называют собственной проводимостью.

Приписав электронам в зоне проводимости и дыркам в валент-

ной зоне эффективную массу, мы можем считать их свободными и

воспользуемся выражением для электропроводности для модели