Составители:
Рубрика:
ПРЕДИСЛОВИЕ
Настоящее пособие состоит из трех глав, в которых рассматриваются
особенности технологии глубокой очистки веществ, механизм и кинетика
роста кристаллов, основные методы выращивания монокристаллов, а так-
же основы технологии получения полупроводниковых материалов и их
свойства .
В конце каждой главы приводятся вопросы и задания для самокон-
троля усвоения знаний. Имеется библиографический список учебной
и на-
учно-технической литературы.
ВВЕДЕНИЕ
Основными факторами, определяющими развитие современной
электроники, являются разработка новых сверхчистых материалов, совер-
шенной высокопроизводительной технологии и подготовка высококвали-
фицированных кадров. В то же время, развитие всех современных науко-
емких технологий, в частности твердотельной технологии в микро- и нано-
электронике, невозможно без углубления и совершенствования наших
взглядов на природу твердого
вещества, взаимосвязь его свойств с соста-
вом и строением.
В настоящее время созданы новые направления развития полупровод-
никового материаловедения. Это технология новых полупроводниковых
материалов, например соединений группы А
III
B
V
и А
II
B
VI
, твердых раство-
ров на их основе, технология различного вида сэндвич-структур типа ме-
талл - диэлектрик полупроводник (МДП), металл - диэлектрик - металл
(МДМ). Особый практический интерес представляют полупроводниковые
наноструктуры, позволяющие создать новый тип приборов работающих на
квантовых размерных эффектах. При всем этом актуальным остаются во-
просы получения чистых веществ и совершенных монокристаллов
, яв-
ляющиеся основой современного электронного приборостроения.
- 3 -
