Составители:
Рубрика:
нестехиометрических расплавов. Обыч о в качестве растворителя исполь-
зуется более легкоплавкий компонент, например, для соединений А
н
аграммы ниже температуры плавления соединения АВ.
вующих
III
B
V
металл (алюминий, галлий, индий). При этом монокристалл выращивается
при температурах значительно ниже температуры плавления данного со-
единения.
На рис. 2.9 представлено схематическое изображение двух вариантов
градиентной кристаллизации из нестехиометрических расплавов с участ-
ком Т-Х ди
В первом случае исходный расплав соответствует составу Х
2
(избыток
легкоплавкого компонента А как растворителя) и кристаллизация прово-
дится в выбранном диапазоне состава расплава Х
1
- Х
2
и соответст
ему температур Т
1
– Т
2
. По мере кристаллизации соединения расплав обед-
няется компонентом В и для последующей осаждения требуется более
низкая температура. При этом процесс начинается с «горячего» конца (Т
2
,
Х
2
) и заканчивается на «холодном» (Т
1
, Х
1
) перемещением лодочки как по-
казано на рис. 2.9, а. Перемещать можно как контейнер с расплавом, так и
печь с температурным градиентом.
Рис. 2.9. Процесс кристаллизации соединения АВ из расплава нестехиометрического
состава:
а – градиентная кристаллизация с перемещением лодочки (или температурного гради-
ента); б - градиентная кристаллизация методом насыщения
- 47 -
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- …
- следующая ›
- последняя »
