Составители:
Рубрика:
Во втором случае (рис.2.9, б), который называется градиентная кри-
сталлизация методом насыщения или двухтемпературный синтез, в рас-
плав с легкоплавким растворителем-компонентом А состава Х
1
(компонент
В) через газовую фазу дополнительно вводится второй компонент В, делая
раствор-расплав пересыщенным при данной температуре. По мере добав-
ления этого компонента (повышения температуры его источника) состав
расплава приближается к стехиометрическому и кристаллизация осущест-
вляется по участку диаграммы Т
1
, Х
1
→
Т
2
, Х
2
, т.е. кристаллизация начина-
ется с «холодного конца». Скорость роста монокристаллов определяется
градиентной направленной кристаллизации из нестехио-
фосфидов
арсенидов галлия со скоростью роста 1-2 см/ч.
атмосфере,
добавляя в
инерт
р кадмия или серы (рис.
скоростью нагрева источника паров компонента В.
Методами
метрических расплавов получают совершенные монокристаллы
и
Выращивание монокристаллов из газовой (паровой) фазы осуществляет-
ся, как правило, для соединений
, имеющих высокую температуру плавле-
ния, а их компоненты - высокую упругость пара. К таковым относятся, на-
пример, полупроводниковые соединения А
II
B
VI
– халькогениды подгруппы
кадмия и цинка. При выращивании монокристаллов из газовой (паровой)
фазы используют или газотранспортные реакции, или рекристаллизацию.
Типичным примером служит синтез монокристаллов сульфида кадмия, ко-
торый проводится при непосредственном взаимодействии паров элементов
при пониженном давлении или в инертной среде (аргон) (рис. 2.10). Про-
цесс, как правило, проводят в восстановительной
ный газ водород.
При этом смесь Н
2
+Ar пропускают над нагретыми до соответствующих
температур источниками компонентов, наприме
2.10). В реакционной камере, имеющей более высокую температуру, идет
взаимодействие компонентов и рост монокристаллов соединения с зарож-
дением на стенках камеры.
- 48 -
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 46
- 47
- 48
- 49
- 50
- …
- следующая ›
- последняя »
