Составители:
Рубрика:
Рис.2.10. Схема получения монокристаллов сульфида кадмия из газовой фазы
что существенно ограничивает использование этих методов.
1. предположении
со-
единений 0,545
и 0,587
твердого раствора Ga
x
Al
1-x
As равна 4683 кг/м
3
.
его со-
тав х.
3. Используя правило Вегарда, определить параметр кристаллической
4. Какими методами можно получить монокристаллы соединений типа
А
III
B
V
?
5. Чем обусловлен в ртикального варианта
Методами газофазного синтеза в настоящее время удается вырастить
монокристаллические образцы размером не более нескольких сантиметров,
2. Плотность кристаллов
Вопросы и задания к главе 2
Определить плотность твердого раствора Ga
0,5
In
0,5
P в
справедливости закона Вегарда. Периоды решеток исходных бинарных
GaP и InP, образующих твердый раствор, принять равными
нм.
Параметр кристаллической решетки: а=0,5656 нм. Определить
с
решетки твердого раствора Ga
x
Al
1-x
As (х=0,6), если параметры исходных
бинарных соединений GaAs и AlAs составляют соответственно 0,5653 и
0,5661 нм.
ыбор горизонтального или ве
направленной кристаллизации ?
- 49 -
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 47
- 48
- 49
- 50
- 51
- …
- следующая ›
- последняя »
