Составители:
Рубрика:
типа A
III
B
V
, так как чем ниже температура плавления, тем проще техноло-
гия очистки и получения монокристаллов. Полупроводниковые соединения
типа A
III
B
V
имеют еще одно важное преимущество перед элементарными
полупроводниками: при несколько большей ширине запрещенной зоны они
имеют существенно большую подвижность носителей. А это один из важ-
нейших параметров полупроводников. Это явление также обусловлено по-
ляризацией кристаллического остова.
Поляризация количественно определяется соотношением:
(
)
2/3
VIII
ков
ион
ZZ
Е
Е
P +=
, (3.5)
где Е
ион
и Е
ков
– энергия ионной и ковалентной составляющих связи.
С увеличением суммы Z
III
+Z
V
поляризация растет. Отсюда становится по-
нятным, почему такое соединение как InSb обладает колоссальной под-
вижностью электронов и в то же время плавится при сравнительно низкой
температуре. В этом веществе вследствие большой суммы порядковых но-
меров поляризация значительна. А это ведет к понижению температуры
плавления и росту ковалентной связи, вместе с которой увеличивается
подвижность носителей.
Легирование соединений A
III
B
V
элементами II группы (Zn, Cd, Hg)
дает акцепторные уровни в запрещенной зоне и приводит к появлению
дырочной проводимости. Хорошими донорными примесями являются
элементы VI группы (S, Se, Те), образующие мелкие (0,05 - 0,01эВ) уровни
и приводящие к электронной проводимости кристаллов. Донорами в сис-
теме A
III
B
V
являются также элементы IV группы (Ge, Si, Sn).
В табл.3.1 приведены некоторые свойства соединений типа A
III
B
V
.
Для сравнения даны свойства германия и кремния.
Практическое применение нашли пока только некоторые соединения
А
Ш
В
У
. Это связано с относительной сложностью их очистки и выращива-
ния кристаллов, что делает их еще достаточно дорогостоящими по сравне-
- 64 -
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 62
- 63
- 64
- 65
- 66
- …
- следующая ›
- последняя »
