Составители:
Рубрика:
нию с германием и кремнием. Фосфиды галлия и индия используются для
изготовления светодиодов и применяются для изготовления транзисторов
и фотопреобразователей.
Т а б л и ц а 3.1
Соеди-
нение
Моле-
кул.
масса
Плот-
ность,
г/см
3
Посто-
янная
решет-
Темпера-
тура
плавле-
Ширина
Подвижность
Некоторые свойства соединений A
III
B
V
запрещен-
ной зоны,
носителей,
см
2
/В·с
ки,
Å
ния,
о
С
эВ
элект-
(300 К)
ронов дырок
AlP
GaP
InP
AlAs
GaAs
InAs
57,0
100,6
145,8
102,0
144,6
189,7
2,42
4,10
4,74
3,60
5,40
5,68
5,43
5,45
5,87
5,63
5,65
2000
1467
1055
1237
2,92
2,25
1,28
2,16
1,48
<100 -
300 150
6000 650
- -
12000 400
AlSb
GaSb
148,7
4,15
6,05
6,13
6,48
1700
943
0,46
1,6
330000 500
200 550
InSb
191,5
236,6
5,65
5,78
6,09
1070
712
536
0,79
0,18
4000 1420
100000 750
Ge 72,60 5,23 5,65 937 0,78 3900 1900
Si 28,06 2,32 5,43 1421 1,21 1500 480
Антимонид индия, являющийся «рекордсменом» среди полупроводни-
ковых соединений по подвижности носителей (см. табл. 3.1), используется
для изготовления датчиков Холла. В антимониде индия эффект Холла
можно обнаружить даже в магнитном поле Земли. Малая ширина запре-
щенной зоны позволяет применять его в качестве детекторов излучения ин-
фракрасной области. Используется для изготовления ИК-фотоэлементов с
высокой чувствительностью.
- 65 -
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 63
- 64
- 65
- 66
- 67
- …
- следующая ›
- последняя »
