Составители:
Рубрика:
сти проводимости. Ширина запрещенной зоны у нитрида алюминия, опре-
деленная по спектрам поглощения, составляет около 3,8 эВ.
Нитрид галлия получают прямым взаимодействием галлия с аммиаком.
Реакцию проводят в корундовом тигле при 1100 °С. Нитрид галлия в зави-
симости от чистоты имеет цвет от светло-серого до желтого. В отличие от
AlN он кристаллизуется в решетке вюртцита с параметрами а = 3,186 и с
= 5,176 А. Рентгенографическая плотность 6,10. Температура плавления
нитрида галлия около 1500 °С.
На воздухе нитрид галлия устойчив. При нагревании около 800 °С на-
чинает сильно сублимироваться. Медленно растворяется в горячей серной
кислоте и горячем концентрированном растворе едкого натра. В концен-
трированных соляной и азотной кислотах, а также в царской водке нитрид
галлия не растворяется.
Нитрид галлия является типичным полупроводником. По спектрам
пропускания определена ширина запрещенной зоны, равная при комнат-
ной температуре 3,26 эВ. С добавками различных активаторов нитрид гал-
лия обнаруживает люминесценцию.
Нитрид индия получают при температуре около 1000 °С взаимодейст-
вием окиси индия с аммиаком. InN кристаллизуется в структуре вюртцита,
плавится при 1200 °С. Ширина запрещенной зоны 2,4 эВ.
В настоящее время практическое применение нитридов галлия и индия
связано с использованием их эпитаксиальных структур, на базе которых
изготавливаются инжекционные полупроводниковые лазеры с излучением
в оптическом диапазоне. Пленки твердого раствора InGaN используются
для получения и исследования структур с квантовыми ямами.
3.5. Полупроводниковые соединения А
II
B
VI
- 67 -
Из класса соединений II и VI групп Периодической системы наиболее
выраженными полупроводниковыми свойствами обладают соединения меж-
ду элементами подгруппы цинка (Zn, Cd, Hg) и серы (S, Se, Те), причем
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 65
- 66
- 67
- 68
- 69
- …
- следующая ›
- последняя »
