Составители:
Рубрика:
Установлено, что во всех соединениях A
II
B
VI
халькогениды металлов яв-
ляются единственными соединениями, что делает их подобными соедине-
ниям А
Ш
В
V
, где также наблюдается одно эквиатомарное соединение. По-
этому Т-X диаграммы состояния систем A
II
B
VI
просты, с максимумом в точ-
ке плавления, отвечающей эквиатомарному составу.
Получение поликристаллов и порошков соединений типа A
II
B
VI
не
представляет особых трудностей, так как для этого применяются методы
препаративной химии. Сульфиды осаждаются из водных растворов. Теллу-
риды получаются прямым сплавлением компонентов. Селениды можно
получать и тем и другим путем. Монокристаллы этой группы полупровод-
ников получают в основном двумя способами: кристаллизацией из распла-
вов и выращиванием из газовой фазы.
Используются также методы выра-
щивания из расплавов нестехиометрического состава с избытком металла.
Сложность технологии выращивания совершенных монокристаллов соеди-
нений типа A
II
B
VI
из расплава, также как и полупроводников A
III
B
V
, вызва-
на их диссоциацией при высоких температурах: A
II
B
VI
→ A
II
+1/2 B
2
VI
,
которая значительна при температурах ниже температур плавления. В га-
зовую фазу переходят оба компонента, то есть считают, что эти соедине-
ния испаряются конгруэнтно. Это значительно упрощает синтез пленок
этих соединений вакуумными методами.
Монокристаллы сульфидов и некоторых селенидов получают преиму-
щественно из газовой фазы либо непосредственным взаимодействием па-
ров компонентов, либо взаимодействием паров металла с галогеноводоро-
дом .
Монокристаллы теллуридов и некоторых селенидов металлов подгруп-
пы цинка выращивают методами, аналогичными для соединений типа
A
III
B
V
. Синтез проводят в замкнутых камерах при повышенном давлении
одного из компонентов, обладающего более высокой упругостью паров.
Технология монокристаллов соединений типа A
II
B
VI
еще более трудоемка
- 69 -
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 67
- 68
- 69
- 70
- 71
- …
- следующая ›
- последняя »
