Составители:
Рубрика:
сульфид цинка ближе к диэлектрикам, а теллурид ртути – к металлам. Со-
единения A
II
B
VI
, или как их еще называют халькогениды, представляют ин-
терес благодаря уникальным электрофизическим, фотоэлектрическим и оп-
тическим свойствам. Многие из них хорошо известны как кристаллофосфо-
ры и фотопроводники.
Соединения A
II
B
VI
кристаллизуются в основном в двух близких между
собой алмазоподобных структурах: сфалерита и вюртцита (см. главу 1). В
этих структурных типах каждый атом окружен четырьмя атомами другого
вида, то есть они проявляют одинаковую валентность, равную четырем.
Природа возникновения четырех ковалентных связей в соединениях A
II
B
VI
и A
III
B
V
аналогична. Разница только в том, что в первых две координатив-
ные (донорно-акцепторные) связи, в то время, как в A
III
B
V
только одна.
Учитывая распределения электронов в валентных оболочках A
II
(s
2
) и B
VI
(s
2
р
4
), считают, что донорно-акцепторные связи образуются за счет непо-
деленных электронов элемента VI группы (s
2
p
4
). В силу большей электро-
отрицательности элемента B
VI
электронные орбитали деформированы в
его сторону, причем, доля ионной связи здесь еще больше, чем в полупро-
водниках группы A
III
B
V
. Об этом свидетельствуют эффективные заряды
атомов и весь комплекс оптических и электрофизических свойств. Кроме
того, в системе A
II
B
VI
наблюдается дополнительная спайность остова по
пл костям куба (100), характерная для вещества с большой долей ион-ос
ности в связи.
С увеличением порядкового номера катионо- и анионообразователя на
ковалентно-ионную связь в системах A
II
B
VI
накладывается доля металличе-
ской компоненты вследствие легкой поляризуемости больших атомов. При
этом увеличение доли металлической связи происходит в основном за
счет уменьшения доли ионной. Именно поэтому внутри одной гомологиче-
ской группы веществ наблюдается постепенный переход от почти диэлек-
трика ZnS к полуметаллу HgTe.
- 68 -
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 66
- 67
- 68
- 69
- 70
- …
- следующая ›
- последняя »
