Составители:
Рубрика:
по сравнению с получением рассмотренных ранее полупроводниковых ма-
териалов.
Основные параметры полупроводниковых соединений A
II
B
VI
приведены
в табл.3.2. Этот класс материалов относят к широкозонным полупроводни-
кам. Исключение составляют лишь халькогениды ртути.
Т а б л и ц а 3.2
Некоторые свойства соединений A
II
B
VI
Соеди-
нение
Молекул.
масса
Плот-
ность,
Постоян-
ная
Темпера-
тура пла-
Ширина
запрещен-
ной
Подвижность
носителей,
см
2
/В·с
г/см
3
решетки,
Å
вления ,
о
С
зоны, эВ
(300 К)
элект-
ронов ды-
рок
ZnS
97,4
4,08
5,41
18
ZnSe
ZnTe
CdS
CdSe
144,3
193,0
144,4
5,26
5,70
4,82
5,66
6,10
5,83
1515
1295
1750
2,70
2,12
2,40
700
30
1450
CdTe
HgS
HgSe
HgTe
240,0
232,0
279,5
328,2
5,86
7,73
8,26
8,42
6,48
5,85
6,07
6,46
1098
1450
800
670
1,51
1,80
0,20
0,01
350 -
600
50
1800
600
250 -
191,4
5,81
6,05
30
1228
3,67
1,88
140 5
300
18500
100
20
25000
- 70 -
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 68
- 69
- 70
- 71
- 72
- …
- следующая ›
- последняя »
