Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов. Ежовский Ю.К - 71 стр.

UptoLike

Легирующими примесями в соеди
донорные уровни
тся элементы III
группы ( 1, In, Ga а акцепторами - элементы (
П ч т активации
ш до и ле ах 0,2 л ическа ость
этих элементов как ов к п к и за-
мещают основной металл в етке, и ли у эл II г
точный
электрон, то у элемента
V
группынедостаток одног ктрона.
Гла особенностью динен
II
B
VI
тся то
венные т е дефекты ( сии
V
или в ме
,
B
яю тивн центрами под примесным атом Обычно
о ва одн ы, например
и
выступают це ые и орны тры с тствен-
н ан , чт об щими яютс екты в
металла,
V
A
Св а кри ов си завися
ш ме онце ия тих дефектов. Причем их произведение
п н анн и определяет приме
сий соотношением
[V
A
]·[V
B
]=К
1
,
нениях кадмия и цинка, дающими
с энергией активации 0,01- 0,3 эВ,
являю
А ), I группы Си, Ag, Au)
ериоди
е чем
еской сис
норов
емы. И
жит в п
донор
х энергия
редел
обычно нес
ектр
колько боль-
-1,2 эВ. Э
цепторов
ес
я активн
, так и а онятна, та
емента I
как он
реш руппы избы-
о эле
вной сое ий A являе , что собст-
очечны вакан
A
, V
B
атомы ждоузлие
A
i
i
) явл тся ак ыми обно ам.
ни бы ют как о- и двухзарядные центр
+
A
V
и
+2
A
V
или
i
A
оотве
2
i
A
, и как ак пторн ли дон е цен
о. Уст овлено о пре ладаю явл я деф подрешетке
то есть
и
A
i
. ойств сталл льно т от соотно-
ения жду к нтрац ми э
остоян о при д ой температуре ся, на р, для вакан-
(3.6)
где
К
1
константа, зависящая только от температуры.
В свою очередь концентрации
[V
A
]
и
[V
B
]
есть функции давления па-
ров одного из компонентов, например,
[V
B
]=К
2
·
Р
A
,
К
2
- константа;
Р -
давление паров металла.
(3.7)
где
A
Аналогичны соотношения и для концентрации междоузельных дефек-
тов.
Учитывая лишь парциальное давление паров металла, которое связано с
парциальным давлением халькогена, запишем:
Р
А
Р
В
1/2
= K
Р .
(3.8)
- 71 -