Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов. Ежовский Ю.К - 73 стр.

UptoLike

сульфид цинка ближе к изоляторам. В тоже время его можно отнести к
широкозонным полупроводникам, который может быть получен
n
и
p
-
типа. Однако легировать его до нужных значений проводимости очень
трудно. Чистый ZnS обладает электронной проводимостью, а легирован-
ный медьюдырочной.
Селенид цинка во многом сходен с сульфидом. Кристаллы селенида
цинка широко используются для создания оптических элементов кванто-
вых генераторов ИК-диапазона. Ведутся разработки по созданию инжек-
ционных лазеров на гетеропереходах GaAs—ZnSe, так как параметры
кристаллических решеток этих соединений близки.
Сульфид и селенид кадмия, обычно в виде пленок, применяются как
высокочувствительные фотоприемники при изготовлении видиконов в
видимом диапазоне длин волн. Перспективны эти материалы и для соз-
дания преобразователей солнечной энергии в электрическую.
Теллурид кадмия, как и арсенид галлия, имеет оптимальную ширину
запрещенной зоны для создания солнечных бат и поэтому весьма арей
интенсивно изучается в этом направлении.
Из соединений ртути наибольший интерес представляет теллурид рту-
ти, который, как и InSb, имеет большую подвижность носителей тока.
Однако «рекордсменом» в этой области следует считать твердый раствор
Cd
0,2
Hg
0,8
Te, который имеет максимальную подвижность носителей тока
из
всех известных полупроводников. Он используется для создания вы-
сокочувствительных приемников теплового излучения.
Несмотря на уникальные свойства полупроводников группы
A
II
B
VI
,
связанные с высокой чувствительностью этих материалов к различным
видам излучения, ограничение в их использовании вызвано большой
сложностью получения кристаллов с воспроизводимыми свойствами.
Технология тонкопленочных структур этих материалов разработана го-
раздо лучше, что и обеспечивает их практическое применение.
- 73 -