Составители:
Рубрика:
Вопросы и задания к главе 3
1. Почему для изготовления большинства полупроводниковых приборов
требуются монокристаллы и не могут быть использованы поликристалли-
чес
А
II
В
VI
про-
явл
исталлы теллурида кадмия с
эле
а кадмия р-типа
кр
в кремнии
пр 300 К , если ширина его запрещенной зоны E
g
= 1,12 эВ, а эффектив-
ные массы дырок и эле 0,56 m
o
соответствен-
но
ить концентрацию дырок в этом полупроводнике, если
кие образцы?
2. Какие преимущества кремния обуславливают его широкое применение
при изготовлении транзисторов и интегральных микросхем?
3. Чем можно объяснить, что полупроводниковые соединения
яют электропроводность лишь одного типа, независимо от характера
легирования?
4. Каким способом можно вырастить кр
ктронной или дырочной проводимостью, не используя при этом леги-
рования третьим компонентом?
5. Предложить способ повышения или снижения удельного сопротивле-
ния чистых кристаллов селенида кадмия с электронной проводимостью без
использования легирующих компонентов.
6. Каким способом можно получить из образца теллурид
исталл с электронной проводимостью, не используя при этом легирова-
ние третьим компонентом?
7. Ширина запрещенной зоны у кремния равна примерно 1,2 эВ, а у
германия 0,75 эВ (при 0 К), для каких длин волн эти кристаллы непрозрач-
ны?
8. Вычислить собственную концентрацию носителей заряда
и
ктронов m*= 1,05 m
o
, m* =
.
9. Концентрация электронов проводимости в полупроводнике равна
10
18
м
-3
. Определ
известно, что собственная концентрация носителей заряда при этой же
температуре равна 10
16
м
-3
.
- 74 -
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 72
- 73
- 74
- 75
- 76
- …
- следующая ›
- последняя »
