Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов. Ежовский Ю.К - 75 стр.

UptoLike

10. В собственном германии ширина запрещенной зоны при температу-
ре 300 К равна 0,665 эВ. На сколько надо повысить температуру, чтобы
число электронов в зоне проводимости увеличилось в два раза? Темпера-
ре ширина запрещенной зоны в германии
плотности состояний для элек-
-
0 до 400 К. При расчете использовать данные задачи 11.
a
концентрация основных носителей заряда n.
Вычислить собственную концентрацию носителей заряда в арсениде
m
o o
,
/ ( + 300).
15. Определить положение уровня Ферми при температуре = 300 К в
арсениде галлия, легированном теллуром до концентрации N
= 10 м .
При расчете использовались данные задачи 10. Объяснить, почему и как
смещается уровень Ферми этого полупроводника с понижением темпера-
туры.
турным изменением эффективной плотности состояний для электронов и
дырок при расчете пренебречь.
11. При комнатной температу
E
g
= 0,665 эВ, а собственная концентрация носителей заряда n
i
= 2,1
.
10
19
м
-3
.
Во сколько раз изменится собственная концентрация n
i
, если температуру
повысить до 200
0
С. Эффективные массы
тронов и дырок соответственно равны: m*=0,55 m
o
, m*=0,388m
o
. Коэффи
циент температурного изменения ширины запрещенной зоны
b = - 3,9
.
10
-4
эВ/К.
12. Определить, как изменится концентрация дырок в германии, содер-
жащем мелкие доноры в концентрации N
д
= 10
22
м
-3
,
при его нагревании
от 30
13. Найти полную концентрацию ионизированных примесей N
и
в полу-
проводнике n-типа, если концентрация компенсирующих акцепторов N , а
14.
галлия при температуре 300 и 500 К, если эффективные массы плотности
состояний m* = 0,067 , m*=0,48m а температурное изменение ширины
запрещенной зоны подчиняется закону:
E
(T) = 1,522 - 5,8
.
10
-4
Т
2
T
g
Т
Te
23 -3
- 75 -